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分立半导体
STL4N10F7参考图片

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STL4N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4071
6407.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL4N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns
商品其它信息
优势价格，STL4N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B91P-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
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30,000:¥0.78422
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BYC5X-600PQ
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5,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
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BZD27B15P-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
1:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6159
500:¥1.2882
3,000:¥0.89157
6,000:查看
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1N961BE3
Microsemi
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264:¥27.0522
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1,000:¥20.4417
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Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
3,000:¥8.5315
6,000:¥8.2264
9,000:¥7.6388
参考库存:39607
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