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分立半导体
GS66508B-E01-MR参考图片

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GS66508B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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数量单价合计
1
¥130.628
130.628
10
¥126.4018
1264.018
25
¥120.5597
3013.9925
250
¥111.8813
27970.325
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
8.8 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7 mm
商标
GaN Systems
下降时间
5.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
GS66508B-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS66508B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPT3906E
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enhanced Complimentary
15,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:46540
VS-6CWQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
1:¥15.2098
10:¥12.5995
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.0738
参考库存:11594
GBJ10005-F
Diodes Incorporated
分立半导体
桥式整流器 10A 50V
15:¥11.30
105:¥9.0626
510:¥7.91
1,005:¥6.554
参考库存:3846
AFT21S232SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
250:¥714.838
参考库存:46549
M30L45C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-VT3045C-M3/4W
暂无价格
参考库存:46554
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