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分立半导体
GS61008T-E01-MR参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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GS61008T-E01-MR

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 100V 90A E-Mode GaN
  • 数据手册下载
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库存:18,166(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.3984
58.3984
10
¥56.8616
568.616
25
¥55.3248
1383.12
250
¥52.6354
13158.85
1,000
¥51.1777
51177.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61008T-E01-MR
商品其它信息
优势价格,GS61008T-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块
1:¥732.6694
5:¥719.2224
10:¥686.8705
25:¥663.9767
参考库存:4628
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.215
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
2,500:¥4.3392
参考库存:16780
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:113542
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥8.9157
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.8251
1,000:¥4.2262
4,500:¥4.2262
参考库存:29364
分立半导体
MOSFET "60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg"
1:¥48.3301
10:¥43.7197
25:¥41.6518
100:¥36.1939
800:¥27.4364
2,400:查看
参考库存:8356
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