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分立半导体
SIHH100N60E-T1-GE3参考图片

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SIHH100N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8
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数量单价合计
1
¥51.7088
51.7088
10
¥46.5673
465.673
25
¥42.4202
1060.505
100
¥38.2618
3826.18
3,000
¥26.894
80682
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
53 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
174 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH100N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 30V 1.5A Vf=0.46V
1:¥4.3053
10:¥2.8702
100:¥1.5933
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
参考库存:20750
DZ2412000L
Panasonic
分立半导体
稳压二极管 12V 5% 2W 10mA FLT LD 2.4mm x 4.7mm
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥3.1075
500:¥2.6781
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.5933
参考库存:31527
1N5927BRLG
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 12V 3W
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
6,000:¥0.69947
参考库存:63204
2SK932-22-TB-E
ON Semiconductor
分立半导体
JFET NCH J-FET
1:¥4.1471
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:38831
B2S-E3/80
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 200 Volt
1:¥4.6895
10:¥3.5482
100:¥2.6329
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6498
参考库存:22053
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