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分立半导体
HFA3102BZ96参考图片

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HFA3102BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15
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数量单价合计
1
¥45.6407
45.6407
10
¥41.2676
412.676
25
¥39.3466
983.665
100
¥34.1938
3419.38
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3102
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3102BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDB120N10
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:27740
CSD17306Q5A
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3619
500:¥5.6274
2,500:¥3.9437
10,000:查看
参考库存:59592
D921S45T
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 4.5KV 1.63KA
1:¥10,096.2336
参考库存:3904
2SCR574D3TL1
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:14886
VS-SD200N16PC
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Amp 1600 Volt 4920 Amp IFSM
1:¥522.1278
5:¥512.5228
10:¥491.3918
25:¥475.9447
参考库存:4048
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