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分立半导体
STB24N65M2参考图片

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STB24N65M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥23.8204
23.8204
10
¥20.2835
202.835
100
¥17.5941
1759.41
250
¥16.6788
4169.7
1,000
¥12.5995
12599.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
185 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB24N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
25.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB24N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJP6085DPK-00#T0
Renesas Electronics
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IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥31.7304
10:¥28.2726
25:¥25.5154
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参考库存:26512
JANS2N2920U
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10:¥997.4623
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1:¥85.1342
10:¥76.6818
50:¥69.8453
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5:¥702.7809
10:¥672.0449
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V72-26.120M
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5:¥623.7148
10:¥595.6682
25:¥575.8367
参考库存:26532
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