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分立半导体
RND030N20TL参考图片

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RND030N20TL

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
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库存：10,822(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.6895
46.895
100
¥3.0284
302.84
1,000
¥2.4295
2429.5
2,500
¥2.0453
5113.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
620 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6.7 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RND030N20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
750 mS
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
RND030N20
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，RND030N20TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5371AE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥14.1363
6,000:¥12.9837
参考库存:37587
DMT10H009SSS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:37592
VS-86HF80M
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥178.3479
300:¥163.5901
500:¥155.7592
参考库存:37597
VS-25ETS08STRL-M3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
800:¥9.831
1,600:¥8.1473
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VS-6CWH02FNTRRHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Freds - D-PAK-e3
3,000:¥6.7122
参考库存:37607
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