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分立半导体
GA20JT12-263参考图片

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GA20JT12-263

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数量单价合计
1
¥303.5971
303.5971
5
¥288.5342
1442.671
10
¥280.8502
2808.502
25
¥273.008
6825.2
50
¥258.0242
12901.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
3.44 V
Qg-栅极电荷
104 nC
Pd-功率耗散
282 W
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
GA20JT12
商标
GeneSiC Semiconductor
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,GA20JT12-263的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive high voltage power Schottky rectifier
1:¥3.6838
10:¥2.7572
100:¥1.5029
1,000:¥1.12209
参考库存:201818
分立半导体
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:25045
分立半导体
SCR 0.8 Amp 400 Volt
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
参考库存:19812
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:21874
分立半导体
MOSFET SO-8 P-CH -20V
1:¥6.3054
10:¥5.1754
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.26
参考库存:35246
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