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分立半导体
MG12150W-XN2MM参考图片

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MG12150W-XN2MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 150A IGBT
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1
¥1,456.9655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Package W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG12150W-XN2MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，MG12150W-XN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG05B43-M3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:43330
S2J-M3/52T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1.5A, 600V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT
13,500:¥0.64523
25,500:¥0.60681
参考库存:43335
1N4752PE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:43340
FZ2400R12HE4_B9
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:43345
DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.4634
参考库存:727641
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