DTA114YUAT106详细参数_参考价格_DTA114YUAT106 PDF资料_ROHM Semiconductor

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.212
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极连续电流	- 70 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA114YUA
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	68
高度	0.8 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA114YUA
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC144WCAT116	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 47kO SOT-23	1:¥2.3052 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:19785
BLF245	Advanced Semiconductor, Inc.	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥553.248 10:¥461.04 25:¥414.936 50:¥368.832	参考库存:4942
IGW30N65L5XKSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 650V IGBT Trenchstop 5	1:¥33.3463 10:¥28.3517 100:¥24.5888 250:¥23.278 500:¥20.905	参考库存:11974
STGIPS20C60	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 600V 20A SLIMM 3-Ph Trench Gate IGBT	1:¥150.8324 5:¥149.2956 10:¥139.1595 25:¥132.8541	参考库存:5326
BSC040N10NS5ATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8	1:¥16.9048 10:¥14.3736 100:¥11.526 500:¥10.0683 5,000:¥7.5032 10,000:查看	参考库存:5463