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分立半导体
CSD18532NQ5BT参考图片

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CSD18532NQ5BT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60-V N-Channel NexFET Power Mosfet
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数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
250
¥12.4526
3113.15
500
¥10.8367
5418.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18532NQ5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
134 mg
商品其它信息
优势价格，CSD18532NQ5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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