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分立半导体
CSD17308Q3T参考图片

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CSD17308Q3T

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1471
414.71
250
¥4.1471
1036.775
500
¥3.6612
1830.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
11.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
3.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17308Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
2.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
38.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17308Q3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥138.4702
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1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
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1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
8,000:¥0.79891
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1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
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MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:38289
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