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分立半导体
IRFR6215TRRPBF参考图片

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IRFR6215TRRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
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数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0342
603.42
500
¥5.3336
2666.8
1,000
¥4.2149
4214.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
580 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Preliminary
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001557126
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR6215TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ042N04NS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:36599
NVMFS5C460NLWFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9719
参考库存:36604
BDP948H6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:36609
S4220
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥400.4155
2:¥393.1157
5:¥388.5844
10:¥376.8211
参考库存:36614
BCR523UE6433HTMA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
10,000:¥0.69156
20,000:查看
参考库存:36619
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