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分立半导体
STP160N3LL参考图片

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STP160N3LL

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4241
74.241
100
¥5.7065
570.65
500
¥5.0398
2519.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP160N3LL
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H6
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP160N3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5227C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44905
MMBZ5260C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44910
MMSZ5238B-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.7 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:44915
DZ23C9V1-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44920
AZ23C16-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.3W 5% CA AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:44925
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