BSS214NWH6327XTSA1详细参数_参考价格_BSS214NWH6327XTSA1 PDF资料_Infineon Technologies

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	1.5 A
Rds On-漏源导通电阻	106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	700 mV
Vgs - 栅极-源极电压	12 V
Qg-栅极电荷	800 pC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	500 mW (1/2 W)
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.9 mm
长度	2 mm
产品	OptiMOS 2
系列	BSS214
晶体管类型	1 N-Channel
类型	OptiMOS 2 Small Signal Transistor
宽度	1.25 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	4 S
下降时间	1.4 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	7.8 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	6.8 ns
典型接通延迟时间	4.1 ns
零件号别名	BSS214NW BSS214NWH6327XT H6327 SP000917560
单位重量	5 mg

商品其它信息

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