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分立半导体
BSC019N06NSATMA1参考图片

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BSC019N06NSATMA1

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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
1,000
¥8.5315
8531.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSC019N06NS SP001407774
商品其它信息
优势价格,BSC019N06NSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 0,5A, 200V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2939
1,000:¥0.7684
1,800:¥0.63732
参考库存:24748
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FAST RECOVERY
1:¥3.616
10:¥3.2996
100:¥2.1357
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.59212
参考库存:24753
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 500MA 1005 SOD32 3F
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.2543
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:24758
分立半导体
整流器 3A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥2.3617
500:¥1.7289
1,250:¥1.2995
2,500:¥1.1978
参考库存:24763
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥2.1922
500:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.11418
参考库存:24768
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