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分立半导体
SQJ407EP-T1_GE3参考图片

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SQJ407EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥7.7631
77.631
100
¥6.0116
601.16
500
¥5.1641
2582.05
3,000
¥3.8081
11424.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
169 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ407EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC4135T-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
700:¥2.2713
2,100:¥1.921
参考库存:16990
PBSS4032SN,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN 30V 5.7A 0.73W 140MHz
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:8437
MUR460-E3/73
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 400 Volt 4.0A 50ns 125 Amp IFSM
1:¥5.8421
10:¥4.7121
100:¥3.5708
500:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,000:¥2.147
参考库存:17449
2SA1418S-TD-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.7A 160V
1:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:5516
MMSZ5223BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 2.7V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:44828
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