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分立半导体
CSD87503Q3E参考图片

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CSD87503Q3E

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.8421
58.421
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.955
1977.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
17.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD87503Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,CSD87503Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30volt 1.0amp
1:¥4.1471
10:¥2.8137
100:¥1.8984
500:¥1.5255
1,000:¥1.1413
3,000:¥1.05316
参考库存:21820
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
800:¥6.1585
参考库存:31762
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:42679
分立半导体
MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
4,000:¥6.4749
8,000:查看
参考库存:37556
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 140V 1A 3-PIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:23318
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