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分立半导体
IPDD60R080G7XTMA1参考图片

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IPDD60R080G7XTMA1

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库存:4,836(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.9458
45.9458
10
¥41.4936
414.936
25
¥39.5726
989.315
100
¥34.352
3435.2
1,700
¥25.1312
42723.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HDSOP-10
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
174 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1700
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPDD60R080G7 SP001632824
商品其它信息
优势价格,IPDD60R080G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single Die TO-252AE 20A If(AV)
1:¥7.1416
10:¥5.876
100:¥4.4974
500:¥3.8759
1,000:¥3.4013
4,500:¥3.4013
参考库存:14410
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:14912
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diodes
1:¥3.6838
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.4238
参考库存:60429
分立半导体
SCR 600V 40A
1:¥27.5042
10:¥22.1254
50:¥21.5943
100:¥20.1366
参考库存:6106
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:46623
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