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分立半导体
IGT60R190D1SATMA1参考图片

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IGT60R190D1SATMA1

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数量单价合计
1
¥100.5022
100.5022
10
¥92.434
924.34
25
¥88.592
2214.8
100
¥78.0717
7807.17
2,000
¥57.4718
114943.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolGaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001701702
商品其它信息
优势价格,IGT60R190D1SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥138.4702
10:¥125.8594
25:¥116.4126
50:¥111.644
参考库存:6271
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 150V Vrrm eSMP SlimSMA (DO-221AC)
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,500:¥1.07576
参考库存:72663
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 0.5A LOW IR SOD-
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
8,000:¥0.79891
24,000:查看
参考库存:43285
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V, 2A SCHOTTKY
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:198987
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:38289
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