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分立半导体
FCP190N65S3参考图片

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FCP190N65S3

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
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数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.6842
1168.42
500
¥10.2152
5107.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
159 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
144 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FCP190N65S3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP190N65S3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBAV99LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SS DUAL DIO SPCL TR
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.46104
参考库存:384219
BAT18,235
NXP Semiconductors
分立半导体
PIN 二极管 35V 100mA Single
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
10,000:¥0.88366
20,000:查看
参考库存:68071
FGH50N3
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 300V PT N-Channel
1:¥63.2348
10:¥57.1667
25:¥54.4773
100:¥47.3357
参考库存:6018
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.5 Amp 1000 Volt
1:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6046
500:¥1.2882
1,000:¥0.96841
7,500:¥0.96841
参考库存:518075
BUK9606-75B,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:25562
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