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分立半导体
IPW80R360P7XKSA1参考图片

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IPW80R360P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
84 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPW80R360P7 SP001633520
商品其它信息
优势价格,IPW80R360P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14
1:¥56.5565
25:¥47.4826
100:¥42.8722
250:¥41.8778
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
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4,000:¥0.26103
8,000:查看
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分立半导体
SCR模块 POWER THYRISTOR MODULE
1:¥595.1258
10:¥566.7741
25:¥553.9373
50:¥541.0327
参考库存:51662
分立半导体
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1:¥4.4522
10:¥3.1527
100:¥2.0566
500:¥0.99892
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分立半导体
桥式整流器 50V 4A Bridge Rectifier
1:¥9.1417
10:¥8.0682
25:¥7.3337
100:¥6.4184
参考库存:6812
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