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分立半导体
IRF200P223参考图片

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IRF200P223

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库存:2,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.4881
44.4881
10
¥37.8098
378.098
100
¥32.7361
3273.61
250
¥31.0411
7760.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
93 S
下降时间
62 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001582440
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF200P223的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
参考库存:53753
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
4,800:¥5.0737
9,600:¥4.8816
参考库存:53758
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET
5,000:¥10.1474
参考库存:53763
分立半导体
双向可控硅 3Q HI-COM TRIAC
5,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:53768
分立半导体
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
3,000:¥1.2656
9,000:¥1.1865
24,000:¥1.12209
45,000:¥1.09836
参考库存:53773
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