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分立半导体

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FP30R06KE3

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库存:24,945(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥506.6016
506.6016
5
¥497.313
2486.565
10
¥484.3971
4843.971
25
¥474.8712
11871.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
37 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP30R06KE3BOSA1 SP000091921
商品其它信息
优势价格,FP30R06KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.6839
100:¥4.3844
500:¥3.2544
1,000:¥2.599
2,500:¥2.2826
参考库存:133533
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1698
500:¥5.311
参考库存:17330
分立半导体
整流器 RECT UFAST 200VAC
1:¥8.2264
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24692
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:1255349
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel Power Trench
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:22221
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