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分立半导体
KSP42BU参考图片

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KSP42BU

  • ON Semiconductor / Fairchild
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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2.7685
10
¥1.8532
18.532
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77.631
1,000
¥0.52997
529.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSP42
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
KSP42BU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:42058
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