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分立半导体
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FB30R06W1E3

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数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FB30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.41471
99,000:¥0.40002
参考库存:48441
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
2,000:¥3.2092
10,000:¥3.0849
24,000:¥2.9945
参考库存:48446
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
3,000:¥0.40002
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32318
45,000:¥0.29945
99,000:¥0.26103
参考库存:48451
分立半导体
肖特基二极管与整流器 High Freq Schottky 0.025A 4V VRM 0.6pF
3,000:¥0.81473
9,000:¥0.76049
24,000:¥0.69947
45,000:¥0.67574
99,000:¥0.64523
参考库存:48456
分立半导体
双向可控硅 600V 1A
2,000:¥4.3392
参考库存:48461
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