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分立半导体
MGSF2N02ELT1G参考图片

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MGSF2N02ELT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
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1
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3.1527
10
¥2.4182
24.182
100
¥1.3108
131.08
1,000
¥0.9831
983.1
3,000
¥0.84524
2535.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
MGSF2N02EL
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
125 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MGSF2N02ELT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥3.1527
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