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分立半导体
BSO615CGHUMA1参考图片

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BSO615CGHUMA1

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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.1 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.5 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO615
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.25 S, 1.2 S
下降时间
18 ns, 90 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns, 105 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 24 ns
零件号别名
BSO615C BSO615CGXT G SP000216311
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO615CGHUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
高压触发二极管 250V DO-214AC 2L
1:¥8.2942
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.3222
5,000:¥3.3222
参考库存:29986
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:14988
分立半导体
MOSFET PMPB20XNEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1526
参考库存:19990
分立半导体
整流器 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
1:¥3.4578
10:¥2.6555
100:¥1.9662
500:¥1.6159
750:¥1.2543
参考库存:12192
分立半导体
MOSFET 40 Volt N-Channel
1:¥6.3732
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:24319
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