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分立半导体
IRFB7746PBF参考图片

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IRFB7746PBF

  • Infineon Technologies
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  • MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
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数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4749
647.49
500
¥5.7178
2858.9
1,000
¥4.5087
4508.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
83 nC
Pd-功率耗散
99 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
132 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
零件号别名
SP001556090
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7746PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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4,000:¥2.7459
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