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分立半导体
IRLR4132TRPBF参考图片

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IRLR4132TRPBF

  • Infineon / IR
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1133
61.133
100
¥4.6895
468.95
500
¥4.1471
2073.55
1,000
¥3.277
3277
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
190 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SP001567364
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，IRLR4132TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-104MT100KPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1000 Volt 100 Amp
15:¥741.4269
30:¥716.759
60:¥706.928
105:¥667.3554
参考库存:44367
3SBMB05F
Semtech
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 3A FAST 50V
25:¥687.6389
50:¥664.3609
100:¥627.2404
参考库存:44372
DMN2011UFDE-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
10,000:¥1.9323
参考库存:44377
B6M-E3/80
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 600 Volt
6,000:¥2.0227
9,000:¥1.9436
24,000:¥1.8645
参考库存:44382
1PMT5947AE3/TR7
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥3.9776
6,000:¥3.8985
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:44387
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