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分立半导体
TK58E06N1,S1X参考图片

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TK58E06N1,S1X

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3506
635.06
500
¥5.6048
2802.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
46 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK58E06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK58E06N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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