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分立半导体
2N7000-G参考图片

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2N7000-G

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库存:12,712(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.8024
28.024
25
¥2.373
59.325
100
¥2.1357
213.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
100 mmho
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥8.6784
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:54949
分立半导体
MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts
1:¥19.3682
10:¥16.1364
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥10.3734
3,000:¥10.3734
参考库存:8526
分立半导体
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
1:¥27.5042
10:¥24.5888
100:¥20.0575
250:¥18.3625
参考库存:14613
分立半导体
MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
3,000:¥11.1418
6,000:查看
参考库存:13900
分立半导体
整流器 Auto ultrafast Recovry Hi VTG diode
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
1,000:¥12.7577
2,000:查看
参考库存:6592
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