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分立半导体
MRF581A参考图片

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MRF581A

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库存:4,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.8941
288.941
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Macro-X
封装
Tray
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,MRF581A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3
1:¥51.641
10:¥46.6464
25:¥44.4881
100:¥38.646
参考库存:5124
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:31616
分立半导体
整流器 1Amp 400Vrrm 400Vr 280Vrms 30A Ifsm
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
参考库存:34158
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 800PV
1:¥296.06
5:¥287.8449
10:¥275.9347
20:¥256.0354
参考库存:4260
D3
分立半导体
MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:16047
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