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分立半导体
VN2106N3-G参考图片

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VN2106N3-G

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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.8024
28.024
25
¥2.373
59.325
100
¥2.1357
213.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN2106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥2.9154
10:¥2.3052
100:¥1.5707
500:¥1.07576
5,000:¥0.72207
10,000:查看
参考库存:44456
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,150V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥10.8367
10:¥9.605
25:¥8.6784
100:¥7.5823
800:¥4.6443
2,400:查看
参考库存:44461
分立半导体
桥式整流器 4A, 800V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:44466
分立半导体
MOSFET Low Power MCU; LCD 5x29, 16Kbyte ROM, TQFP100
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:44471
分立半导体
高压触发二极管 High Speed Hi Surge Resistance
1:¥4.9946
10:¥4.6895
100:¥4.2262
1,000:¥3.842
2,000:¥3.3109
参考库存:44476
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