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分立半导体
FP25R12KT4_B15参考图片

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FP25R12KT4_B15

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数量单价合计
1
¥510.986
510.986
5
¥501.607
2508.035
10
¥488.6233
4886.233
25
¥479.0183
11975.4575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
160 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
IGBT4
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FP25R12KT4B15BOSA1 SP000808002
商品其它信息
优势价格,FP25R12KT4_B15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥7.0738
10:¥5.876
100:¥3.7855
1,000:¥3.0284
1,500:¥2.5538
参考库存:11185
分立半导体
稳压二极管 40W SINGL 200mA 5.2V Single Zener diodes
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:53852
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19254
分立半导体
整流器 8A DIODESTAR 600Vrrm8A 2.3Vf 20ns
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,000:¥2.9719
参考库存:7671
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
2,000:¥0.67574
参考库存:32783
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