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分立半导体
BSZ340N08NS3 G参考图片

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BSZ340N08NS3 G

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
5,000
¥1.695
8475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ34N8NS3GXT SP000443634
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ340N08NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥7.0738
10:¥5.876
100:¥3.7855
1,000:¥3.0284
1,500:¥2.5538
参考库存:11185
分立半导体
稳压二极管 40W SINGL 200mA 5.2V Single Zener diodes
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:53852
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19254
分立半导体
整流器 8A DIODESTAR 600Vrrm8A 2.3Vf 20ns
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,000:¥2.9719
参考库存:7671
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
2,000:¥0.67574
参考库存:32783
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