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分立半导体
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VN10KN3-G-P013

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1
¥4.1471
4.1471
10
¥4.1245
41.245
25
¥3.4804
87.01
100
¥3.164
316.4
2,000
¥2.1583
4316.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，VN10KN3-G-P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1CV5DPK-00#T0
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Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
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暂无价格
参考库存:27561
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