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分立半导体
2DB1132Q-13参考图片

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2DB1132Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
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1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 125 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，2DB1132Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL5938D/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥85.3715
200:¥77.8344
500:¥72.772
1,000:¥66.7717
参考库存:37236
JAN1N4615DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.6116
200:¥129.9387
500:¥123.7124
参考库存:37241
JAN1N5544C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.1916
200:¥94.129
500:¥88.0609
1,000:¥80.7611
参考库存:37246
JANTX1N3824AUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.4645
200:¥126.1758
500:¥120.0964
参考库存:37251
CDLL6486/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥97.3608
200:¥88.7502
500:¥83.0663
1,000:¥76.1507
参考库存:37256
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