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分立半导体
SIHF12N60E-E3参考图片

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SIHF12N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存：8,713(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥17.9783
179.783
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2153
6107.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF12N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMXB40UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET 12 V, N-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
5,000:¥0.66105
参考库存:43154
QH05TZ600
Power Integrations
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 H-Series 600V 5A Super-Low Qrr
1:¥14.2945
10:¥12.9046
25:¥11.526
100:¥10.3734
参考库存:6346
T720N12TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 1200V 720A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
25:¥833.94
参考库存:2848
BZX79-B75,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:51300
SMAZ22-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 22V 180Ohms
1:¥4.0002
10:¥2.4973
100:¥1.3334
500:¥1.08367
7,500:¥0.63054
22,500:查看
参考库存:35652
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