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分立半导体
CSD19505KCS参考图片

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CSD19505KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:11,111(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥20.0575
200.575
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.368
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19505KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
262 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19505KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥7.8422
6,000:¥7.571
9,000:¥6.9947
参考库存:52306
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:52311
分立半导体
桥式整流器 25A 100V
1,500:¥6.4636
3,000:¥6.0229
6,000:¥5.7969
参考库存:52316
分立半导体
PIN 二极管
40:¥136.165
50:¥132.9332
100:¥126.56
250:¥116.1075
参考库存:52321
分立半导体
整流器 600 Volt 1.0 Amp ESD Capability
10,000:¥0.65314
20,000:¥0.61472
参考库存:52326
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