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分立半导体
ATP112-TL-H参考图片

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ATP112-TL-H

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET SWITCHING DEVICE
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库存:7,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5822
55.822
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.7855
1892.75
3,000
¥2.6555
7966.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ATPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
Qg-栅极电荷
33.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ATP112
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,ATP112-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.458
10:¥7.4128
25:¥6.2489
100:¥5.6952
2,000:¥3.8872
4,000:查看
参考库存:23523
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 40 Watt Common Anode AUTO
1:¥3.2996
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:282190
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:57692
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.6838
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,500:¥1.2091
10,000:¥1.2091
参考库存:53619
分立半导体
MOSFET 30V P-channel MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:22061
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