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分立半导体
SQM40010EL_GE3参考图片

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SQM40010EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥22.8938
228.938
100
¥18.4416
1844.16
500
¥12.7577
6378.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
174 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM40010EL_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PLZ2V2A-HG3/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.3843
10:¥1.5707
100:¥0.7684
500:¥0.65314
4,500:¥0.33787
9,000:查看
参考库存:114614
MCH3479-TL-W
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥2.9945
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:27266
BAW56HDW-13
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Switching Diode
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:36873
BZD27C18P-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
1:¥3.616
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
参考库存:26420
BZT52HC27WF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 830mW 27V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:55897
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