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分立半导体
NTZD5110NT1G参考图片

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NTZD5110NT1G

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.486
24.86
100
¥1.06785
106.785
1,000
¥0.82264
822.64
4,000
¥0.62263
2490.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
294 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTZD5110N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63.7 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NTZD5110NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥7.4693
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10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
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5:¥551.4061
10:¥534.1962
25:¥510.0594
参考库存:5220
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