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分立半导体
IPP020N06NAKSA1参考图片

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IPP020N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06N IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:6911
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
2,500:¥6.8817
5,000:查看
参考库存:16608
分立半导体
MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
9,000:查看
参考库存:6195
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.59212
参考库存:284402
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:352874
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