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分立半导体
IRF9389TRPBF参考图片

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IRF9389TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.4013
34.013
100
¥2.0792
207.92
1,000
¥1.6046
1604.6
4,000
¥1.3673
5469.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.8 A, 4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 51 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC, 8.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
商标名
HEXFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
IRF939
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.2 S, 4.1 S
下降时间
3.9 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns, 14 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 8 ns
零件号别名
SP001551666
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，IRF9389TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-20CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥13.447
10:¥11.2209
100:¥8.6784
500:¥7.5823
参考库存:44787
VS-10ETF04STRR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥14.2945
10:¥11.8311
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6444
参考库存:44792
IFN3957
InterFET
分立半导体
JFET N-Channel JFET 50mA
73:¥97.4286
100:¥89.5977
250:¥81.6764
500:¥76.3767
参考库存:44797
NTMFD4C88NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
暂无价格
参考库存:44802
VS-ST380CH06C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 960 Amp
1:¥884.8126
5:¥867.4445
10:¥827.0244
25:¥809.6676
参考库存:44807
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