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分立半导体
IRF9335TRPBF参考图片

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IRF9335TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.599
259.9
1,000
¥2.0792
2079.2
4,000
¥2.0792
8316.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
Pd-功率耗散
2.5 W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577600
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,IRF9335TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块
1:¥67,716.4026
参考库存:42937
分立半导体
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:42942
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 1600A 1700V
1:¥10,843.8868
参考库存:42947
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 3W 36V DO-15
4,000:¥1.06785
8,000:¥1.00683
12,000:¥0.9379
24,000:¥0.86106
参考库存:42952
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:42957
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