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分立半导体
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FDP10N60NZ

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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.893
6893
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
640 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
185 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP10N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
50 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 nS
典型接通延迟时间
25 nS
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP10N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET AFSM T6 40V LL NCH
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
3,000:¥19.5942
参考库存:16462
BSC886N03LS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
5,000:¥2.1018
参考库存:26464
DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:1796
G3SBA20-E3/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
1,000:¥4.4974
参考库存:10958
FF300R07KE4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V
1:¥861.5346
5:¥845.7033
10:¥807.6675
25:¥780.7735
参考库存:1570
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