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分立半导体
BF992,215参考图片

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BF992,215

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.5765
45.765
25
¥4.1358
103.395
100
¥3.616
361.6
3,000
¥1.9662
5898.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 20 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143B-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 20 V
零件号别名
933615000215
单位重量
9 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥1.808
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1,000:¥0.36838
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10:¥21.131
100:¥18.2834
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500:¥15.594
参考库存:4327
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