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分立半导体
STD3NK50ZT4参考图片

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STD3NK50ZT4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.5653
65.653
100
¥5.0398
503.98
500
¥4.4522
2226.1
2,500
¥3.1188
7797
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK50ZT4
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD3NK50ZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER 0.5W 5.6V AEC-Q101
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.85315
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.4068
参考库存:337569
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,342.6208
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
参考库存:45971
分立半导体
SCR 10A 1000V
1:¥12.2153
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9495
1,000:¥5.6387
参考库存:45976
分立半导体
整流器 100 Volt 1.0A 150ns 40 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.2374
100:¥1.3108
500:¥1.05994
5,500:¥0.67574
参考库存:45981
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
1:¥8.2942
10:¥6.6105
100:¥5.0737
500:¥4.4861
参考库存:45986
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