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分立半导体
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FQAF16N50

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库存:6,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.8941
28.8941
10
¥24.5888
245.888
100
¥21.2892
2128.92
250
¥20.2044
5051.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11.3 A
Rds On-漏源导通电阻
320 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
26.7 mm
长度
15.7 mm
系列
FQAF16N50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
FQAF16N50_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FQAF16N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥18.5207
385:¥18.5207
500:¥16.5997
1,000:¥13.9894
2,500:¥13.2888
参考库存:51327
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
8,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
48,000:¥0.24634
96,000:¥0.2147
参考库存:51332
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
2,000:¥4.0002
10,000:¥3.842
参考库存:51337
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:51342
分立半导体
SCR 400V 1A
2,000:¥2.9719
参考库存:51347
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